- ・8600型VSMを用いた微小モーメント測定
- ・クライオスタットと冷凍機のテクニカルガイド(入門編)
- ・8600型VSMを用いた温度可変微小モーメント測定
- ・温度可変・4探針シート抵抗測定
- ・電気計測-今さら聞けない5つの落とし穴-
- ・太陽電池、光検出デバイスの外部量子効率特性の高感度・高速測定
- ・FIR vs. IIR ロックイン測定高速化のためのフィルタリング
- ・ナノ構造材料の微小信号測定の信頼性を上げる新たなアプローチ
- ・コモンモードノイズ干渉の影響を最小限に抑えるための実用的なガイド
- ・ナノ材料における量子ホール効果測定-M81型 ロックインアンプ搭載ソースメジャーユニットの使用
- ・M81型機能紹介⑤ ダイナミックレンジの大きなロックイン測定
- ・M81型機能紹介④ 1台でDC+ACロックイン測定
- ・M81型機能紹介③ オートレンジでのロックイン測定 その2
- ・M81型機能紹介② オートレンジでのロックイン測定 その1
- ・M81型機能紹介① ロックインアンプとは
- ・極低温プローブステーションにおける微小電流測定で考慮すべき点
- ・フレキシブル(CVT)プローブの効果
- ・VSM/AGMの原理・特長と磁性材料の評価
- ・ACホール測定の原理
- ・半導体の性能を測定する・新開発ホール測定システムレジテスト8400について
- ・磁石の高性能化に貢献 モーターの省電力化から、コンピュータの大容量化まで、幅広い産業分野の発展に
- ・高効率太陽電池をになう~キャリア濃度と移動度の測定~
技術資料
M81型機能紹介⑤ ダイナミックレンジの大きなロックイン測定
M81型ロックインアンプ搭載ソースメジャーユニットによるロックイン測定は、120dBを超える大きなダイナミックレンジを有します。これは例えば、10mVレンジで10nV以下の信号が測定可能であることを意味します。今回は、その実力を測るために、mVレベルの信号がnVレベルで変化した際の検証測定を実施しました。
【検証】M81型のダイナミックレンジ
~mVレベル信号中のnVレベルの変化をとらえる~
検証では、1kΩの抵抗に1μArmsの電流を印加した状態から、印加電流を10pA刻みで変化させた際の電圧の変化を測定しました。下図に、その測定系と、測定結果を示します。 計算上、測定電圧は1mVrmsから10nVごとに変化することになります。測定結果から、1mVの信号中の約10nVの変化を正確にとらえられていることが分かります。
図1 ダイナミックレンジ検証測定の測定系
1kΩ抵抗への印加電流を1μAから10pAずつ変化させ、電圧変化を測定しました。M81型では、電流印加モジュールを用いることで高精度な電流印加によるロックイン測定を簡単に行うことができます。
図2 1kΩの抵抗に1μArmsの電流を印加した状態から、印加電流を10pA刻みで変化させた際の電圧の変化(実線:測定値 破線:線形近似直線)
測定電圧値が1mVrmsから約10nV刻みでリニアに変化する様子が測定されています。
ロックインの設定は、印加信号周波数13Hz、時定数1s、Roll off 24dBで行いました。
(設定値についての説明は、M81型機能紹介① ロックインアンプとはを参照ください。)
大きなダイナミックレンジの有用性
M81型の大きなダイナミックレンジにより、下記のような測定が可能となります。
- mVレベルの信号がnVレベルで微小に変化する場合に、その変化を捕捉可能
- 高調波測定で基本周波数信号が大きい場合にも、微小な高調波成分を測定可能
- nVレンジ~mVレンジで大きく変化する値の測定を、レンジ切り替え無しに測定
弊社では、デモ機を使用してのデモ測定なども対応可能です。ぜひお気軽にお問合せください。
ダイナミックリザーブ>120dB ロックインアンプ:M81型
多ch同期 ロックインアンプ搭載 ソースメジャーユニット M81型
M81型は、従来のDC測定に加え ロックインアンプによる高感度 I-V抵抗測定、微分コンダクタンス測定(高調波)を行える 最新のソースメジャーユニットです。
電圧感度:nV、電流感度:10fA、6端子までの同期測定が可能です。ソフトウエアオプションにより 印加電圧/電流スイープや、温度、磁場制御も可能になります。半導体、超伝導、量子・スピン、二次元、熱電など 先端デバイスの評価に最適です。
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株式会社東陽テクニカ 脱炭素・エネルギー計測部
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